SRAM和DRAM

DRAM芯片

DRAM芯片用于主存。
DRAM与SRAM的核心区别是：DRAM使用栅极电容存储信息，而SRAM使用双稳态触发器存储信息。

栅极电容 VS 双稳态触发器

栅极电容

读出1：电容内存储了电荷，MOS管接通，电容放电，数据线上产生电流。
读出0：电容内未存储电荷，MOS管接通后，数据线上无电流。
注：
1.电容放电信息被破坏，是破坏性读出。读出后应有重写操作，也称“再生”。
2.读写速度更慢。
3.每个存储元制造成本更低，集成度高，功耗低。
4.电容内的电荷只能维持2ms。即便不断电，2ms后信息也会消失。
5.2ms之内必须“刷新”一次（给电容充电）。

双稳态电容

1：A高B低。
0：A低B高。
注：
1.读出数据，触发器状态保持稳定，是非破坏性读出，无需重写。
2.读写速度更快。
3.每个存储元制造成本更高，集成度低，功耗大。
4.只要不断电，触发器的状态就不会改变。

DRAM VS SRAM

DRAM的刷新

1.刷新周期一般为2ms。
2.以行为单位，每次刷新一行存储单元。
3.用行列地址存储（减少选通线的数量）。

4.刷新时刻：

注：可用地址线复用技术：行、列地址分两次送，可使地址线更少，芯片引脚更少。