IXFP4N100参数及代换型号 数据表（PDF）中文资料

IXFP4N100参数及代换KNX41100A

N沟道MOSFET–KNX41100A漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2sk119，主适用于工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩，光伏逆变器等辅助电源。

IXFP4N100参数及代换KNX41100A

KNX41100产品特征：

符合RoHS

RDS（ON）.typ=9.6Ω@VGS=10V

低栅极充电可尽量减少开关损耗

快速恢复体二极管

IXFP4N100参数及代换KNX41100A

IXFP4N100参数及代换KNX41100A

IXFP4N100参数及代换KNX41100A

IXFP4N100参数及代换KNX41100A

IXFP4N100参数及代换KNX41100A

KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营：场效应管（MOS管）、COOLMOS（超结场效应管）、三端稳压管、快恢复二极管；可申请样品及报价和有技术支持，有什么问题有技术员帮忙解决问题！2880195519