• 长短期记忆(LSTM)与RNN的比较:突破性的序列训练技术


    长短期记忆(Long short-term memory, LSTM)是一种特殊的RNN,主要是为了解决长序列训练过程中的梯度消失和梯度爆炸问题。简单来说,就是相比普通的RNN,LSTM能够在更长的序列中有更好的表现。

    Why

    LSTM提出的动机是为了解决「长期依赖问题」

    长期依赖(Long Term Dependencies)

    在深度学习领域中(尤其是RNN),“长期依赖“问题是普遍存在的。长期依赖产生的原因是当神经网络的节点经过许多阶段的计算后,之前比较长的时间片的特征已经被覆盖,例如下面例子

    eg1: The cat, which already ate a bunch of food, was full.
          |   |     |      |     |  |   |   |   |     |   |
         t0  t1    t2      t3    t4 t5  t6  t7  t8    t9 t10
    eg2: The cats, which already ate a bunch of food, were full.
          |   |      |      |     |  |   |   |   |     |    |
         t0  t1     t2     t3    t4 t5  t6  t7  t8    t9   t10
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    我们想预测'full'之前系动词的单复数情况,显然full是取决于第二个单词’cat‘的单复数情况,而非其前面的单词food。根据RNN的结构,随着数据时间片的增加,RNN丧失了学习连接如此远的信息的能力。

    alt

    LSTM vs. RNN

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    相比RNN只有一个传递状态 ,LSTM有两个传输状态,一个 (cell state),和一个 (hidden state)。(Tips:RNN中的 对于LSTM中的

    其中对于传递下去的 改变得很慢,通常输出的 是上一个状态传过来的 加上一些数值。

    则在不同节点下往往会有很大的区别。

    Model 详解

    状态计算

    首先使用LSTM的当前输入 和上一个状态传递下来的 拼接训练得到四个状态。

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    其中, 是由拼接向量乘以权重矩阵之后,再通过一个 激活函数转换成0到1之间的数值,来作为一种门控状态。而 则是将结果通过一个 激活函数将转换成-1到1之间的值(这里使用 是因为这里是将其做为输入数据,而不是门控信号)。

    计算过程

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    ⊙ 是Hadamard Product,也就是操作矩阵中对应的元素相乘,因此要求两个相乘矩阵是同型的。 ⊕ 则代表进行矩阵加法。

    LSTM内部主要有三个阶段:

    1. 「忘记阶段」。这个阶段主要是对上一个节点传进来的输入进行 「选择性」忘记。简单来说就是会 “忘记不重要的,记住重要的”。

    具体来说是通过计算得到的 (f表示forget)来作为忘记门控,来控制上一个状态的 哪些需要留哪些需要忘。

    1. 「选择记忆阶段」。这个阶段将这个阶段的输入有选择性地进行“记忆”。主要是会对输入 进行选择记忆。哪些重要则着重记录下来,哪些不重要,则少记一些。当前的输入内容由前面计算得到的 表示。而选择的门控信号则是由 (i代表information)来进行控制。

    将上面两步得到的结果相加,即可得到传输给下一个状态的 。也就是上图中的第一个公式。

    1. 「输出阶段」。这个阶段将决定哪些将会被当成当前状态的输出。主要是通过 来进行控制的。并且还对上一阶段得到的 进行了放缩(通过一个tanh激活函数进行变化)。

    与普通RNN类似,输出 往往最终也是通过 变化得到。

    Code

    现在,我们从零开始实现长短期记忆网络。 与 8.5节中的实验相同, 我们首先加载时光机器数据集。

    import torch
    from torch import nn
    from d2l import torch as d2l

    batch_size, num_steps = 3235
    train_iter, vocab = d2l.load_data_time_machine(batch_size, num_steps)
    • 1
    • 初始化模型参数

    定义和初始化模型参数。 如前所述,超参数num_hiddens定义隐藏单元的数量。 我们按照标准差0.01的高斯分布初始化权重,并将偏置项设为0。

    def get_lstm_params(vocab_size, num_hiddens, device):
        num_inputs = num_outputs = vocab_size

        def normal(shape):
            return torch.randn(size=shape, device=device)*0.01

        def three():
            return (normal((num_inputs, num_hiddens)),
                    normal((num_hiddens, num_hiddens)),
                    torch.zeros(num_hiddens, device=device))

        W_xi, W_hi, b_i = three()  # 输入门参数
        W_xf, W_hf, b_f = three()  # 遗忘门参数
        W_xo, W_ho, b_o = three()  # 输出门参数
        W_xc, W_hc, b_c = three()  # 候选记忆元参数
        # 输出层参数
        W_hq = normal((num_hiddens, num_outputs))
        b_q = torch.zeros(num_outputs, device=device)
        # 附加梯度
        params = [W_xi, W_hi, b_i, W_xf, W_hf, b_f, W_xo, W_ho, b_o, W_xc, W_hc,
                  b_c, W_hq, b_q]
        for param in params:
            param.requires_grad_(True)
        return params
    • 1
    • 定义模型
    def init_lstm_state(batch_size, num_hiddens, device):
        return (torch.zeros((batch_size, num_hiddens), device=device),
                torch.zeros((batch_size, num_hiddens), device=device))

    def lstm(inputs, state, params):
        [W_xi, W_hi, b_i, W_xf, W_hf, b_f, W_xo, W_ho, b_o, W_xc, W_hc, b_c,
         W_hq, b_q] = params
        (H, C) = state
        outputs = []
        for X in inputs:
            I = torch.sigmoid((X @ W_xi) + (H @ W_hi) + b_i)
            F = torch.sigmoid((X @ W_xf) + (H @ W_hf) + b_f)
            O = torch.sigmoid((X @ W_xo) + (H @ W_ho) + b_o)
            C_tilda = torch.tanh((X @ W_xc) + (H @ W_hc) + b_c)
            C = F * C + I * C_tilda
            H = O * torch.tanh(C)
            Y = (H @ W_hq) + b_q
            outputs.append(Y)
        return torch.cat(outputs, dim=0), (H, C)
    • 1
    • 训练和预测
    vocab_size, num_hiddens, device = len(vocab), 256, d2l.try_gpu()
    num_epochs, lr = 5001
    model = d2l.RNNModelScratch(len(vocab), num_hiddens, device, get_lstm_params,
                                init_lstm_state, lstm)
    d2l.train_ch8(model, train_iter, vocab, lr, num_epochs, device)

    # perplexity 1.3, 17736.0 tokens/sec on cuda:0
    # time traveller for so it will leong go it we melenot ir cove i s
    # traveller care be can so i ngrecpely as along the time dime
    • 1
    alt

    总结

    • 长短期记忆网络有三种类型的门:输入门、遗忘门和输出门。
    • 长短期记忆网络的隐藏层输出包括“隐状态”和“记忆元”。只有隐状态会传递到输出层,而记忆元完全属于内部信息。
    • 长短期记忆网络可以缓解梯度消失和梯度爆炸。

    Ref

    1. https://zhuanlan.zhihu.com/p/32085405
    2. https://zhuanlan.zhihu.com/p/42717426
    3. https://zh.d2l.ai/chapter_recurrent-modern/lstm.html

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  • 原文地址:https://blog.csdn.net/swindler_ice/article/details/134471277