STM32内部flash闪存的总结

参考文章：https://blog.csdn.net/jingling122/article/details/100898806
https://blog.csdn.net/m0_58168670/article/details/130599477

分类： 只读存储器（ROM） 只写存储器（RAM）

嵌入式 Flash：（以STM32f407为例）

内存容量： stmf407内存512k

Flash 具有以下主要特性：

● 对于 STM32F40x 和 STM32F41x，容量高达 1 MB；对于 STM32F42x 和 STM32F43x，
容量高达 2 MB
● 128 位宽数据读取
● 字节、半字、字和双字数据写入
● 某个扇区擦除与全部擦除
● 存储器组织结构
● 低功耗模式（有关详细信息，请参见参考手册的“电源控制 (PWR)”部分）

Flash 结构：
— 主存储器块，分为 4 个 16 KB 扇区、1 个 64 KB 扇区和 7 个 128 KB 扇区
— 系统存储器，器件在系统存储器自举模式下从该存储器启动
— 512 字节 OTP（一次性可编程），用于存储用户数据
OTP 区域还有 16 个额外字节，用于锁定对应的 OTP 数据块。
— 选项字节，用于配置读写保护、BOR 级别、软件/硬件看门狗以及器件处于待机或
停止模式下的复位。

注意：我们的f407只有3个128kb的沙扇区，对扇区进行访问或者擦除的时候需要计算出其实地址和结束地址，用户下载数据时候，是从起始地址下载进去的；

注意：

          用户在存储自定义的数据时候，尽量从后面开始存储数据；避免对用户数据进行干扰
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内部FLASH使用方法：

1.flash解锁–>2.flash擦除–>3.flash写入–>4.flash上锁–>5.flash读取

第一步：Flash 控制寄存器解锁:

原因：复位后，Flash 控制寄存器 (FLASH_CR) 不允许执行写操作，以防因电气干扰等原因出现对Flash 的意外操作。
寄存器的解锁顺序如下：

1. 在 Flash 密钥寄存器 (FLASH_KEYR) 中写入 KEY1 = 0x45670123
2. 在 Flash 密钥寄存器 (FLASH_KEYR) 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB

注意：如果顺序出现错误，将返回总线错误并锁定 FLASH_CR 寄存器，直到下一次复位

具体步骤：

第二步、擦除：

擦除扇区之前需要设计编程/擦除并行位数，决定了写入的时间，Flash 擦除操作可针对扇区或整个 Flash（批量擦除）执行。执行批量擦除时，不会影响OTP 扇区或配置扇区。

扇区擦除的具体步骤如下：

1. 检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，以确认当前未执行任何 Flash 操作
2. 在 FLASH_CR 寄存器中，将 SER 位置 1，并从主存储块的 12 个 (STM32F405xx/07xx
   和 STM32F415xx/17xx) 或 24 个 (STM32F42xxx 和 STM32F43xxx) 扇区中选择要擦除
   的扇区 (SNB) 需要指定扇区号（0~7），通过扇区地址计算，本芯（STM32F407）片只有7个扇区
3. 将 FLASH_CR 寄存器中的 STRT 位置 1开始擦除扇区
4. 等待 BSY 位清零 等待擦除完成
   

通过扇区地址判断扇区号的自定义函数：
//获取flash的扇区号 通过扇区地址进行获取

uint32_t GetSector(uint32_t Address) { uint32_t sector = 0;
if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_0)) {
sector = FLASH_Sector_0; } else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_1)) {
sector = FLASH_Sector_1; } else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_2)) {
sector = FLASH_Sector_2; } else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_3)) {
sector = FLASH_Sector_3; } else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_4)) {
sector = FLASH_Sector_4; } else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_5)) {
sector = FLASH_Sector_5; } else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_6)) {
sector = FLASH_Sector_6; } else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_8) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_7)) {
sector = FLASH_Sector_7; } else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_9) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_8)) {
sector = FLASH_Sector_8; } else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_10) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_9)) {
sector = FLASH_Sector_9; } else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_11) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_10)) {
sector = FLASH_Sector_10; }
else/(Address < FLASH_END_ADDR) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_11))/ {
sector = FLASH_Sector_11; }
return sector; //把计算出来的扇区号返回 }

调用这个函数
if( ==FLASH_EraseSector( FLASH_Sector_10, VoltageRange_3 ==) != FLASH_COMPLETE )

第三/四步：flash写入flash上锁：

可通过软件将 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置为 1 来锁定 FLASH_CR 寄存器。

具体步骤：

第五步：flash读取

具体步骤：