光电探测器指标分析

先来看一下一个光电探测器的数据手册

第一个光电二极管类型

常用的是PIN管和APD管，两种管子各有优劣

PIN：光电二极管（ Photo Diode），当半导体中的PN结受到光照射，且入射光能量高于光电二极管的带隙能时，会产生电子和空穴，其中在内部电场的驱动下，电子和空穴按相反方向各自移动，形成了光电流。

PIN光电二极管、雪崩光电二极管均属于半导体光电探测器，所使用的材料一样，光谱响应范围也一样。

PIN光电二极管优点在于响应度高响应速度快，频带也较宽工作电压低，偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压，所以线性输出范围宽不足之处在于I层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。所以PIN光电二极管通常接有前置放大器。

APD：雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode），APD的光电流和PD的光电流产生机制相同，通过给PN结施加反向电压，光生载流子碰撞晶格，发生电离，产生新的电子空穴对，类似于“雪崩”效应（即光电流成倍地激增的现象）。

雪崩光电二极管是具有内部增益光电探测器，雪崩增益虽比光电倍增管PMT小的多，但仍使APD的灵敏度比PIN光电二极管高的多，解决了PIN光电二极管灵敏度低的问题，在高速调制微弱信号检测时其优点便更加明显，但由于其增管效益，信号中的噪声也会同时被放大，且其增益系数受温度影响必要时还需采用温度补偿措施。较之APD-PIN，光电二极管对温度不敏感适用场合受限制较少，所以绝大多数系统均采用PIN光电二极管，但在信号损耗过大光信号过于微弱或长距离传输等条件下，APD就很有必要。

PIN擅长大带宽
APD擅长微弱光，但需要高电压偏置

第二个带宽和耦合的问题

AC耦合，输出交流信号，无直流（1Hz-GHz）
AC耦合的带宽可以很宽，100k-40GHz，增益不会很大

DC耦合，输出直流和交流都包含（0Hz）
一般DC耦合的带宽最高是几百兆，DC-200M，增益能够很大

第三跨阻增益

单位有的是V/W，有的是V/A，这是为什么呢。
这种带放大的光电探测器原理是，光电二极管加放大转换电路，光电二极管会将光信号转换为光电流（电流信号），电路再讲光电流转换并放大为电压信号，V/W是输出电压幅度除以输入光功率，V/A是输出电压幅度除以光功率经过二极管转换为光电流后的值

光功率不能以功率计读取的值作为计算。

欢迎交流

1、10G 高速光电探测器（100kHz-10GHz，600 V/m,不限幅度）

2、2G光电探测器(DC-2GHz可选，AC耦合，5000V/m)

3、200M光电探测器（DC耦合，15000V/m）

4、C波段1550nm可调谐激光器（包括电源，控制器，激光器模块，插上即用）

5、强度调制器偏置点控制器

6、保偏光纤定制，EDFA,光开关模块等等

7、各型号可调谐激光器，高速探测器，调制器

C波段1550nm可调谐激光器控制系统

读取TTX1995系列激光器的参数，最大16dBm

读取TL5000激光器的参数，最大光功率13dBm

激光器

调制器

探测器