• 硬件设计基础----二极管


    1 什么是二极管

    二极管由管芯、管壳和两个电极构成,管芯是一个PN结,在PN结的两端各引出一个引线,用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳,就构成了晶体二极管。P型区引出的电极称为正极或阳极,N型区引出的电极称为负极或阴极,如图所示:

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    N型半导体: 也称作电子型半导体,是自由电子浓度远大于空穴浓度的杂志半导体
    P型半导体: 也称空穴型半导体,是带正电的空穴为主的半导体

    二极管具有阳极和阴极两个端子,电流只能往单一方向流动。也就是说,电流可以从阳极流向阴极,而不能从阴极流向阳极。

    二极管工作原理:

    • PN结加正向电压时,呈现低电阻,具有较大的正向扩散电流
    • PN结加反向电压时,呈现高电阻,具有很小的反向漂移电流

    2 二极管的性质

    2.1 一般性质

    二极管是非线性元件,通过判断二极管是否导通,分析其在电路中的作用

    • 当阳极与阴极之间加上导通电压以上电压时,就会导通,否则截止
    • 二极管截止,即断路,可在电路中去除
    • 二极管导通,其相当于一个导通电压大小的电源

    导通电压:当正向电压超过过某一数值后,二极管才有明显的正向电流,该电压值称为导通电压

    2.2 伏安特性

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    • 死区: 外加正向电压较小时,二极管呈现的电阻较大,正向电流几乎为零,该区域为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为 0.5 V, 锗的死区电压约为 0.1 V,该电压值又称门坎电压或阈值电压
    • 正向特性: 大于导通电压的区域称为导通区,当流过二极管的电流I比较大时,二极管两端的电压几乎维持恒定,硅管约为0.6~0.8V(通常取0.7V),锗管约为0.2~0.3V(通常取0.2V)
    • 反向特性: 在反向电压小于反向击穿电压的范围内,由少数载流子形成的反向电流很小,而且与反向电压的大小基本无关,此部分为截止区
    • 反向击穿: 当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象叫做二极管的反向击穿
    2.3 动态特性

    高频信号加载在二极管上时,需要考虑二极管的动态特性。二极管的单向导向性并不理想,PN结除了构成单向导电的二极管外,还存在一个结电容,结电容导致“双向导电”,如图所示:

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    不同工艺影响二极管结电容大小:

    • 点接触的PN结,可以减小结电容,但降低二极管的通流能力
    • 面接触,通流能力强,但是结电容更大

    低频时,反向导电占整个周期的比例很小,二极管仍可以看成是单向导电的;高频时,如果反向导电占整个周期的比例很大,二极管称为“双向导电”器件,也就无法使用了

    3 二极管的分类

    普通二极管有多种类型:

    • 按材料分类:锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等
    • 按管芯结构分类:面接触二极管和点接触二极管
    • 按用途不同分类:整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管、快速恢复二极管等
    • 按结类型分类:半导体结型二极管和金属半导体结型二极管
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    不同二极管对比:

    类型应用场合正向电压反向电压恢复时间
    普通硅二极管低频功率电子应用场合0.7V>500Vus
    高速二极管逻辑开关场合0.7V<100Vns
    肖特基二极管快恢复场合0.3V<50Vps
    碳化硅二极管高速,高电压场合1.4V<1kVns

    4 二极管的参数

    二极管的参数在数据手册中都有说明,下面对二极管的主要参数进行简单解释:

    • 最高反向工作电压VRM 二极管两端允许加载的最大反向电压,如果大于该值,则反向电流IR急剧增大,二极管的单向导电性被破坏,二极管反向击穿。因此,通常选取反向击穿电压VBR的一半作为VRM
    • 反向重复峰值电压VRRM 包括所有重复瞬态电压,不包括不重复瞬态电压。通常是与电路相关,比如交流信号每个周期的最高点即重复峰值电压
    • 最大整流电流IF 二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值
    • 平均整流电流IO 设计电路时参考该电流,电流值大小通常为IF的一半,所设计电路电流最好不要超过二极管的平均整流电流
    • 峰值正向浪涌电流IFSM 是允许流过的瞬间电流,超过该值会损坏二极管
    • 反向电流IR 二极管在规定的温度和反向电压作用下,流过二极管的反向电流,该电流越小,说明二极管的单向导电性越好。反向电流与文额度密切相关,大约每升高10℃,反向电流增大一倍
    • 结电容CT 结电容的大小表示二极管的频率特性,因为存在结电容,当频率很高时,容抗小到使PN结短路,导致二极管失去单向导电性
    • 反向恢复时间trr 二极管从正向电压变成反向电压时,电流不能瞬间截止,需要延时一点时间,该时间为反向恢复时间,并决定二极管的开关速度

    5 二极管的应用

    5.1 肖特基二极管

    防反接保护电路中使用肖特基二极管较多,常用型号有SS34,B5819W,IN5819等,简单应用电路如下:

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    肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作而成
    肖特基二极管特点: 开关频率高,反向恢复时间极短(ns),正向压降低(0.4V左右)
    肖特基二极管缺点: 耐压值比较低,漏电流稍大
    肖特基二极管用途: 用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管等

    5.2 稳压二极管(齐纳二极管)

    稳压二极管,又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。稳压值=反向击穿电压
    稳压二极管使用一般都需要串联一个电阻做限流电阻用,因为稳压二极管的功率比较小,电路图如下:

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    二极管击穿且电流过大才会烧坏,保证电流在一定值,二极管不会烧坏。稳压二极管可以串联起来获得更高的稳定电压

    5.3 TVS瞬态抑制二极管

    TVS瞬态电压抑制器,又称雪崩击穿二极管。TVS 有单向与双向之分,单向TVS一般适用于直流电路,双向TVS一般适用于交流电路中,其实双向也可以用于直流电路之中
    TVS工作原理: 瞬态电压过高,TVS反向电压过高导致雪崩击穿,电阻有高阻态变为低阻态,泄放瞬时的大电流,电路图如下所示:

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    TVS管在电路中工作于反向截止状态,不影响电路的其他功能,当两端经受瞬间的高能量冲击时,它能以极高的速度使其阻抗骤然降低,同时吸收一个大电流,从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。干扰脉冲过去后,TVS又转入反向截止状态

    5.4 ESD静电保护二极管

    ESD二极管也是为了保护电路,主要功能是防止静电,实际项目中,USB接口会接ESD二极管,电路图如图所示:

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    ESD二极管,原理和TVS二极管一样,主要用于静电的防护

    5.5 整流二极管

    整流二极管是一种利用二极管单向导电的特性,将交流电转变为直流电的二极管,整流二极管一般为平面型硅二极管。整流二极管正反向电阻相差很大,且反向电阻接近于无穷大,整流电路如下所示:

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    5.6 LED发光二极管

    LED发光二极管是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光,简单应用电路如图所示:

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    发光二极管发光的强弱和流过的电流成正比,如果觉得光弱,可以降低串联的电阻,但是要注意LED能够承受的最大电流,防止损坏

    5.7 其他二极管

    光敏二极管,又称光电二极管,是一种能够将光根据使用方式,转换成电流或者电压信号的光探测器。光敏二极管可以利用光照强弱来改变电路中的电流,一般来说光线越强,电流越大

    开关二极管,势垒电容小,在高频条件下也可以保持好的单向导电性,在电路中进行“开”、“关”

    检波二极管,把叠加在高频载波上的低频信号检出,具有较高的检波效率和良好的频率特性。应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中,其工作频率较高,处理信号幅度较弱

    快速恢复二极管,有较高的开关速度和较低的正向压降,与肖特基二极管比,其耐压值高。主要用作高速整流元件,在开关电源和逆变电源中作整流二极管,以降低关断损耗,提高效率和减小噪声

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