NJR日清纺微理光R5445系列单节锂电池保护芯片，内置驱动器高位Nch FET开关温度保护

产品名称：单节锂电池保护芯片

产品系列：R5445（新款）

代理品牌：NISSHINBO(日清纺微电子)，原日本理光微电子

产品封装：WLCSP-8-P4

热门标签：锂电池保护芯片，单节锂电池保护芯片，锂电保护芯片

R5445 系列
单节锂电池保护芯片，内置驱动器用于高位Nch FET开关且内置温度保护

R5445系列芯片是单节锂电池保护芯片，对过电压充电，欠电压放电，充电过电流，放电过电流，以及温度异常均有保护作用。此芯片能驱动外置高位Nch MOSFET开关，此芯片对电压，电流的检测精度非常高，并且能够防止0V电池再充电。

此外，本产品提供超低耗电的Standby Mode，当发现欠压放电，电压低于电路最低值时，会进入Standby Mode, 此时内部电路会停止工作。另外，使用CTL端子也可以强制芯片进入Standby Mode。

项目	消费
输入电压	1.5 V to 5.0 V (Maximum Rating: 6.5 V)
元件数	1
电源电流	Typ. 5.0 µA
待机电流	Max. 0.04 µA
过充电检测电压	4.2 V to 4.6 V (0.005 V step)
过充电检测电压精度	±10 mV (0°C ≤ Ta ≤ 50°C)
过充电检测延迟时间	1024 ms / 2048 ms / 3072 ms / 4096 ms
过放电检测电压	2.0 V to 3.4 V (0.005 V step)
过放电检测电压精度	±2.0%
过放电检测延迟时间	16 ms / 32 ms / 128 ms
放电过电流检测电压	0.015 V to 0.150 V (0.001 V step)
放电过电流检测电压精度	0.015 V to 0.030 V: ±3mV0.031 V to 0.050 V: ±10%0.051 V to 0.150 V: ±5mV
放电过电流检测延迟时间	32 ms / 128 ms / 256 ms / 512 ms / 1024 ms
充电过电流检测电压	−0.150 V to −0.015 V (0.001 V step)
充电过电流检测电压精度	−0.150 V to −0.041 V: ±8mV−0.040 V to −0.021 V: ±20%−0.020 V to −0.015 V: ±4mV
充电过电流检测延迟时间	8 ms
短路检测电压	0.040 V to 0.200 V (0.005V step)
短路检测电压精度	±5 mV
检测延迟时间短	280 µs
恢复过充的条件	Latch
恢复过放电的条件	Latch
封装	WLCSP-8-P4
0 V Battery Charging	Inhibition
Current Sense	Resistor / FET
Thermal Protection	Charge and Discharge Current

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原文地址：https://blog.csdn.net/SZKoyuElec/article/details/126518764

NJR日清纺微理光R5445系列 单节锂电池保护芯片，内置驱动器高位Nch FET开关温度保护