氮化镓充电器芯片 NV6128、NV6127、NV6125 QFN6x8mm

NV6128 氮化镓功率芯片具有开尔文源极，有效降低寄生参数对高频开关的影响。NV6128导阻为70mΩ，在纳微的氮化镓功率芯片中最低。芯片额定工作电压为650V，峰值耐压800V，在系统中的可靠性更高，支持2MHz高开关频率。该芯片采用QFN6*8mm封装，在使用电流检测电阻时仍能得到增强的散热。NV6128内部整合集成栅极驱动器，支持10-30V供电，且导通压摆率可编程。应用于300W图腾柱PFC+AHB氮化镓电源方案。

参数：NV6128 电源开关/驱动器 N 通道 20A 30-QFN
开关类型：通用
输出数：1
比率 - 输入:输出：1：1
输出配置：高压侧或低压侧
输出类型：N 通道
接口：PWM
电压 - 负载：650V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：10V ~ 24V
电流 - 输出（最大值）：20A
导通电阻（典型值）：70 毫欧
输入类型：非反相
工作温度：-40°C ~ 125°C（TC）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：30-PowerVQFN（6x8）

NV6127 采用QFN6*8mm封装，散热性能升级，125mΩ导阻，内置驱动器支持10-30V供电。最高支持2MHz开关频率。
NV6127 氮化镓芯片的产品应用有华硕300W氮化镓电源，联想90W闪充双口氮化镓充电器、倍思120W氮化镓+碳化硅PD快充充电器等。

参数：NV6127 电源开关/驱动器 N-CH 12A 30QFN
开关类型：通用
输出数：1
比率 - 输入:输出：1：1
输出配置：高压侧或低压侧
输出类型：N 通道
接口：PWM
电压 - 负载：650V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：10V ~ 30V
电流 - 输出（最大值）：12A
导通电阻（典型值）：125 毫欧
输入类型：非反相
特性：-
故障保护：-
工作温度：-40°C ~ 125°C（TC）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：30-PowerVQFN（6x8）

NV6125 是流行的 NV6115 650 V GaNFastTM 电源 IC 的热增强版本，针对高频和软开关拓扑进行了优化。
NV6125 氮化镓功率芯片，内置驱动器，无需外置驱动器，175mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，采用散热增强的QFN6*8mm封装，适用于升压，降压，半桥，全桥开关电源等诸多应用场合。
应用
交流-直流、直流-直流、直流-交流
QR 反激、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC 谐振、D 类
无线电源、太阳能微型逆变器、LED 照明、TV SMPS、服务器、电信

参数：NV6125  8A 电源开关/驱动器 IC 1：1 N 通道  30QFN（6x8）
输出配置：高压侧或低压侧
输出类型：N 通道
接口：PWM
电压 - 负载：650V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：10V ~ 24V
电流 - 输出（最大值）：8A
导通电阻（典型值）：175 毫欧
输入类型：非反相
工作温度：-40°C ~ 125°C（TC）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：30-PowerVQFN

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