Finwave Semiconductor 筹集 1220 万美元

 

资金用于推进用于 5G 的 3DGaN FinFET 晶体管

3DGaN 创新者和麻省理工学院衍生公司 Finwave Semiconductor 宣布获得 1220 万美元的 A 轮融资，由 Fine Structure Ventures 牵头，Citta Capital、Soitec、Safar Partners 和 Alumni Ventures 也参与其中。

A 系列是继美国能源部高级研究计划署能源部 (ARPA-E) SCALEUP（为具有未开发潜力的领先能源技术播种关键进展）赠款提供 430 万美元的联邦资金之后，帮助公司的技术带来到量产。

这笔资金将用于扩大公司的团队、产品开发活动和实验室设施——所有这些都是为了推进 Finwave 的使命，即利用下一代 3DGaN FinFET 技术彻底改变 5G 通信的未来。

“Finwave 的技术开启了 5G 的承诺，”Fine Structure Ventures 的高级董事总经理 Jennifer Uhrig 说，该风险投资基金隶属于 Fidelity Investments 的母公司 FMR LLC。 “该公司将一流的功率放大效率与大批量制造相结合，以克服阻碍毫米波广泛采用的性能和成本限制。我们很高兴能与 Finwave 合作，将他们的革命性产品推向市场。”

`mmWave 对所有无线技术的未来都至关重要，但其潜力的实现面临着严峻的障碍。弱上行链路、高部署成本、低 5G 无线电效率和飙升的运营成本共同阻碍了毫米波的前景。目前，由于缺少一个关键组件：高性能毫米波功率放大器技术，5G 网络无法实现其真正潜力。

高性能 GaN-on-Si 带来了新的选择，可以使 5G 毫米波更加实用。在毫米波频率下，GaN-on-Si 放大器优于 Si RFSOI MOSFET、GaAs pHEMT 或 SiGe 器件等替代解决方案。 Finwave 屡获殊荣的 3DGaN 技术显著提高了 5G 毫米波系统的线性度、输出功率和效率，同时大大降低了运营商的成本。通过利用大批量 8 英寸 Si CMOS 晶圆厂生产 3DGaN 芯片，Finwave 的设备受益于硅技术的成本模型和可扩展性。

“3DGaN FinFET 技术是 10 多年研究和开发的成果，最初是在麻省理工学院开发的，并获得了令人垂涎的 2012 年 IEEE 电子器件协会乔治史密斯奖，”Finwave 首席执行官兼联合创始人 Bin Lu 指出，上图与 co -创始人托马斯帕拉西奥斯。 “此后，全球越来越多的研究人员证明了 GaN FinFET 的巨大潜力。

“Finwave 成立的使命是将技术从实验室扩展到造福社会的大批量产品，而 5G 为该技术带来的规模、性能提升和成本优势提供了完美的市场机会。解决了众多制造挑战并成功创造了Finwave 是使用标准 8 英寸 Si CMOS 工具的制造工艺，在 5G 的 3DGaN 技术商业化方面处于领先地位。”

Finwave 首席战略官兼执行董事长 Jim Cable 补充说：“在绝缘体上硅技术工作了 30 年，并成为将该技术应用于地球上每部手机的早期先驱之后，Finwave 的 3DGaN GaN-on-Silicon 提供了机会技术是巨大的，我很高兴能成为团队的一员。我个人理解将新技术推向大批量市场的挑战，我们非常专注于实现这一目标的各个方面。结束本轮 A 轮对我们来说是向前迈出的重要一步。”

永霖光电-UVSIS-独家发布