此知识点常出现在408或者是软考中,对该知识点详细补充
RAM(Random Access Memory,随机存取存储器)
用于临时存储数据以供CPU快速访问的存储设备
是计算机中的主要内存,用于存储运行中的程序和数据
易失性存储器,这意味着当电源关闭时,其中的数据会被清除
RRAM(Resistive Random-Access Memory,阻性随机存取存储器)
一种新型的非易失性存储器技术
基于电阻变化,通过调整材料中的电阻状态来存储数据
RRAM相比于传统的闪存技术具有更快的读写速度和更低的能耗,因此被广泛认为是下一代存储技术的潜在候选者之一
SRAM:
每个存储单元由多个触发器构成,每个触发器可以存储一个位,因此 SRAM 速度较快
存储单元不需要刷新,因为数据存储在触发器中,只要电源保持稳定,数据就会一直保持
由于其简单的存储单元结构,读写速度比较快,而且不需要刷新操作,因此功耗相对较低
DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)
一种常见的RAM类型,使用一种称为电容的存储单元来存储数据
需要定期刷新以保持数据的有效性,因为电容会逐渐失去电荷
这种刷新操作会消耗额外的能量,并且可能会导致一定程度的性能损失
以下是这三种存储器的一些基本差异:
| 特征 | RAM(随机存取存储器) | RRAM(阻性随机存取存储器) | DRAM(动态随机存取存储器) |
|---|---|---|---|
| 易失性 | 是 | 否 | 是 |
| 读写速度 | 一般 | 通常较快 | 一般 |
| 能耗 | 一般 | 通常较低 | 一般 |
| 数据稳定性 | 不稳定 | 稳定 | 不稳定 |
| 刷新需求 | 不适用 | 不适用 | 需要定期刷新 |
| 制造成本 | 一般 | 可能较高 | 一般 |
| 主要用途 | 主内存、缓存 | 下一代存储技术 | 主内存 |
补充另外的一些方面: