黑猫带你学NandFlash第3篇：nandflash介质工作原理，你想要的都在这里！

1 前言

1.1 声明

本文依据不同型号NandFlash spec、个人工作经验及部分网络资料整理而成，如有错误请留言。

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文章所在专栏：《黑猫带你学：NandFlash详解》

1.2 注意

该章节节中出现的电压值（例如5V、10V、20V）只是用来举例来解释清楚nand的工作原理，但并不一定表示nand在源极、漏极、控制栅极上加的电压就是这么多。具体的要看每款厂商的nand型号及其说明文档。

1.3 从本文你将获得什么？

1、nand组成的cell是什么？什么原理用来存储电荷？
2、NAND Flash存储单元组织结构是什么样子的？
3、nand的读写擦的本质原理是什么？
4、program前必须erase的本质原因。

2 NAND Flash存储单元物理组成

NAND的存储单元通常有两种，一种是浮栅极MOSFET(Floating gate MOSFET)，一种是CTF技术存储单元。

较早的都是浮栅极MOSFET(Floating gate MOSFET)，现在更多的NAND采用的是CTF存储技术，其原理基本一样。因此本文档依旧使用浮栅极MOSFET(Floating gate MOSFET)进行介绍。